本书根据作者多年的石墨烯薄膜制备经验和研究成果,并结合国内外石墨烯薄膜制备的最新研究进展编撰而成。本书主要介绍基于化学气相沉积法的石墨烯薄膜制备技术,首先对石墨烯概念、发展历程和表征进行概括介绍,接着简单介绍化学气相沉积技术,然后系统介绍石墨烯的成核与生长、单晶石墨烯的制备、石墨烯的层数控制,进一步介绍石墨烯薄膜的转移技术以及面向工业应用的石墨烯薄膜规模化制备技术,最后对石墨烯薄膜现有制备技术进行总结,并对石墨烯薄膜的未来发展进行了展望。本书对石墨烯薄膜制备技术进行了全面系统的介绍,既方便初学者对该技术快速了解,又能使专业科研与技术人员对该技术有系统深入的认识。希望本书能对石墨烯薄膜制备技术的发展与创新提供启发与指导。
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任何一种材料的真正应用首先要解决的就是其制备问题。目前,氧化还原及各种机械分离方法被广泛用于石墨烯粉体及浆料的制备,而大面积石墨烯薄膜的制备则主要是基于铜基底的化学气相沉积(CVD)法。这一方法是本书作者之一李雪松教授于2009年在美国德州大学奥斯汀分校Ruoff课题组从事研究工作时发明的。受益于碳在铜中极低的溶解度以及石墨烯薄膜在铜表面的自限制生长机制,这种方法很容易获得大面积高质量的石墨烯薄膜,因而被广泛使用。这不但对石墨烯材料的研究与应用起到了一定的促进作用,也为石墨烯(薄膜)的产业化奠定了基础。我国在这一领域,不论是科学研究还是产业化方面,均走在世界前列。在这一背景下,作者结合自身多年来在石墨烯薄膜制备领域的研究经验,通过对这一领域的重要成果进行梳理与总结,编撰了这本《石墨烯薄膜制备技术》。